挑戰(zhàn)課題方向簡介

1.基于內(nèi)存型介質(zhì)存儲資源池架構(gòu)的研究。當(dāng)前存儲資源池系統(tǒng)架構(gòu)是基于易失的DRAM以及傳統(tǒng)的硬盤、NAND等存儲介質(zhì)而設(shè)計的，如何用一個統(tǒng)一的架構(gòu)去收編傳統(tǒng)和新型介質(zhì)；

2.基于內(nèi)存型介質(zhì)數(shù)據(jù)訪問方法的研究，以匹配新型內(nèi)存型的特性，充分發(fā)揮出新型介質(zhì)的優(yōu)勢。如內(nèi)存型介質(zhì)在訪問本地內(nèi)存和遠(yuǎn)端內(nèi)存時性能存在巨大差異，我們需要最優(yōu)的內(nèi)存型數(shù)據(jù)分級，以及內(nèi)存和SSD介質(zhì)的智能分級；

3.基于內(nèi)存型介質(zhì)數(shù)據(jù)可靠性的研究。如內(nèi)存型介質(zhì)存儲單元的可擦寫次數(shù)有限，頻繁的擦寫會導(dǎo)致芯片單元很快到達(dá)壽命極限，我們需要在現(xiàn)有磨損均衡基礎(chǔ)上進(jìn)行創(chuàng)新、優(yōu)化，設(shè)計出可應(yīng)用于不同需求環(huán)境下的磨損均衡策略。

投遞方式

郵箱發(fā)送到cloudrecruit@huawei.com，郵件標(biāo)題及簡歷附件命名方式：天才少年招聘+姓名+學(xué)校+挑戰(zhàn)課題方向。